Κωδ. Μαθήματος : 82303 | ECTS : 6 | 8ο Εξάμηνο |
Κατεύθυνση/Ομάδα Μαθημάτων : Φυσική της Συμπυκνωμένης Ύλης | (ΕΚ) Επιλογή Κατεύθυνσης |
Εβδομαδιαίες Ώρες Διδασκαλίας | Θεωρία : 4 | Ασκήσεις : 1 | Εργαστήριο : 1 |
ΠεριεχόμενοΔιδάσκοντες
• Ημιαγώγιμα υλικά, κρυσταλλική δομή των στερεών, ενεργειακές ζώνες
• Μεταφορά φορέων, ολίσθηση-διάχυση, γένεση-επανασύνδεση, θερμιονική εκπομπή, φαινόμενα φορτίου χώρου και σήραγγας, ιονισμός κρούσης
• Επαφή pn, I-V χαρακτηριστικές, περιοχή απογύμνωσης, πολλαπλασιασμός χιονοστιβάδας, ετεροεπαφές, δίοδος Schottky
• Διπολικό τρανζίστορ, χαρακτηριστικές καμπύλες, απόκριση συχνότητας, διατάξεις ισχύος – θυρίστορ
• Πυκνωτές και τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Μετάλλου-Οξειδίου-Ημιαγωγού (MOSFET), MOSFET Si, MESFET GaAs
• Τεχνολογίες CMOS, BiCMOS, TFT, SOI, δομές μνήμης
• Μικροκυματικές διατάξεις, δίοδος σήραγγας, δίοδος IMPATT, διατάξεις σε φαινόμενα μεταφερόμενων ηλεκτρονίων, κβαντικού χώρου περιορισμού, θερμών ηλεκτρονίων
• Τεχνικές ανάπτυξης μονοκρυστάλλων (Si – GaAs), διαδικασία παραγωγής, ανάπτυξη υμενίων σε μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα
• Τεχνικές ανάπτυξης υμενίων, θερμική οξείδωση, χημική εναπόθεση ατμών, κάλυψη ακμών, υλικά χαμηλής και υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς, επιμετάλλωση
• Αποτύπωση κυκλωματικών δομών σε ημιαγώγιμα υλικά, οπτική λιθογραφία, φωτοευαίσθητα υλικά, μέθοδοι νέας γενιάς, υγρή και ξηρή εγχάραξη
• Εισαγωγή προσμίξεων, εμφύτευση ιόντων, καταστροφή πλέγματος – αποκατάσταση
• Κατασκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων και διατάξεων, τεχνολογικές προκλήσεις, νανο-ηλεκτρονική.
• Μεταφορά φορέων, ολίσθηση-διάχυση, γένεση-επανασύνδεση, θερμιονική εκπομπή, φαινόμενα φορτίου χώρου και σήραγγας, ιονισμός κρούσης
• Επαφή pn, I-V χαρακτηριστικές, περιοχή απογύμνωσης, πολλαπλασιασμός χιονοστιβάδας, ετεροεπαφές, δίοδος Schottky
• Διπολικό τρανζίστορ, χαρακτηριστικές καμπύλες, απόκριση συχνότητας, διατάξεις ισχύος – θυρίστορ
• Πυκνωτές και τρανζίστορ επίδρασης πεδίου Μετάλλου-Οξειδίου-Ημιαγωγού (MOSFET), MOSFET Si, MESFET GaAs
• Τεχνολογίες CMOS, BiCMOS, TFT, SOI, δομές μνήμης
• Μικροκυματικές διατάξεις, δίοδος σήραγγας, δίοδος IMPATT, διατάξεις σε φαινόμενα μεταφερόμενων ηλεκτρονίων, κβαντικού χώρου περιορισμού, θερμών ηλεκτρονίων
• Τεχνικές ανάπτυξης μονοκρυστάλλων (Si – GaAs), διαδικασία παραγωγής, ανάπτυξη υμενίων σε μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα
• Τεχνικές ανάπτυξης υμενίων, θερμική οξείδωση, χημική εναπόθεση ατμών, κάλυψη ακμών, υλικά χαμηλής και υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς, επιμετάλλωση
• Αποτύπωση κυκλωματικών δομών σε ημιαγώγιμα υλικά, οπτική λιθογραφία, φωτοευαίσθητα υλικά, μέθοδοι νέας γενιάς, υγρή και ξηρή εγχάραξη
• Εισαγωγή προσμίξεων, εμφύτευση ιόντων, καταστροφή πλέγματος – αποκατάσταση
• Κατασκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων και διατάξεων, τεχνολογικές προκλήσεις, νανο-ηλεκτρονική.
[Σύντομα θα προστεθεί η σχετική πληροφορία]